Maître de conférences INSA Strasbourg – enseignante aux départements savoirs en commun ; génie thermique, énergétique et environnement ; génie électrique

Tél : +33(0) 3 88 63 10 30

Activités pédagogiques

  • électromagnétisme (CM/TD)
  • physique du solide (CM/TD)
  • électricité (TP)

 

 

 

Activités de recherche

Unité de recherche ICube – équipe Matériaux et composants pour l’électronique et le photoVoltaïque (MaCEPV)

Étude des propriétés optiques et optoélectroniques de matériaux organiques et inorganiques pour le photovoltaïque et la microélectronique

Publications

  • Low-temperature photoluminescence properties of Nd-doped silicon oxide thin films containing silicon nanocrystals, E. Steveler, H. Rinnert and M. Vergnat, Journal of Luminescence, 183, 311 (2017).
  • La diode, un dispositif à double sens, R. Haïdar, J.-L. Pelouard, E. Steveler, La Recherche, Hors-Série 14, 64 (Juillet 2015).
  • Enhanced two-photon-absorption using sub-wavelength antennas, B. Vest, B. Portier, F. Pardo, N. Péré-Laperne, E. Steveler, J. Jaeck, C. Dupuis, N. Bardou, A. Lemaitre, E. Rosencher, R. Haïdar, J.-L. Pelouard, Proc. SPIE 9370, Quantum Sensing and Nanophotonic Devices XII, Invited Paper, 937018 (2015).
  • Optical index measurement of InAs/GaSb type-II superlattice for mid-infrared photodetection at cryogenic temperatures, E. Steveler, M. Verdun, B. Portier, P. Chevalier, C. Dupuis, N. Bardou, J.-B. Rodriguez, R. Haïdar, F. Pardo, and J.-L. Pelouard, Applied Physics Letters 105, 141103 (2014).
  • Resonant metallic nanostructure for enhanced two-photon absorption in a thin GaAs pi-n diode, B. Portier, B. Vest, F. Pardo, N. Péré-Laperne, E. Steveler, J. Jaeck, C. Dupuis, N. Bardou, A. Lemaître, E. Rosencher, R. Haïdar, and J.-L. Pelouard, Applied Physics Letters 105, 011108 (2014).
  • Quantum efficiency investigations of type-II InAs/GaSb midwave infrared superlattice photodetectors, E. Giard, I. Ribet-Mohamed, J. Jaeck, T. Viale, R. Haïdar, R. Taalat, M. Delmas, J.-B. Rodriguez, E. Steveler, N. Bardou, F. Boulard, and P. Christol, Journal of Applied Physics 116, 043101 (2014).
  • Photoluminescence of erbium in SiOxNy alloys annealed at high temperature, E. Steveler, H. Rinnert and M. Vergnat, Journal of Alloys and Compounds 593, 56 (2014).
  • Photoluminescence properties of Nd-doped silicon oxide thin films containing silicon nanoparticles, E. Steveler, H. Rinnert and M. Vergnat, Journal of Luminescence 150, 35 (2014).
  • Infrared luminescence at 1010 nm and 1500 nm in LiNbO3:Er3+ excited by short pulse radiation at 980 nm, E. P. Kokanyan, G. G. Demirkhanyan, E. Steveler, H. Rinnert, Aillerie, International of Modern Physics: Conference series 15, 76 (2012).
  • Direct and indirect excitation of Nd3+ ions sensitized by Si nanocrystals embedded in a SiO2 thin film, E. Steveler, H. Rinnert and M. Vergnat, Journal of Applied Physics 110, 113518 (2011).
  • Indirect excitation of Er3+ ions in silicon nitride films prepared by reactive evaporation, E. Steveler, H. Rinnert, X. Devaux, M. Dossot and M. Vergnat, Applied Physics Letters 97, 221902 (2010).